PR-E 3 - SMA型是一款高靈敏度電壓前置放大器,專為FT-ICR檢測(cè)池、肖特基探頭或電荷探測(cè)器等需要低噪聲和高阻抗特性的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品支持單通道/雙通道,其中雙通道工作模式可切換至單通道工作模式,從而進(jìn)一步降低電壓噪聲。
━ 頻率范圍:0.5 kHz - 4 MHz
━ 低電壓噪聲:0.6 nV/√Hz @ 1 MHz(單通道模式下)
━ 低電流噪聲:12 fA/√Hz @ 10 kHz
━ 放大倍數(shù):250倍(可定制)
━ 緊湊型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
━ 單 / 雙通道可用,配備SMA接口
下圖展示了設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。該前置放大器由一或兩個(gè)獨(dú)立信號(hào)通路組成,采用共電源電壓供電。輸入級(jí)由預(yù)選的低噪聲場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)構(gòu)成,后級(jí)接有放大電路和緩沖電路。獨(dú)立的反饋回路可確保偏置點(diǎn)良好平衡,即使在低溫冷卻操作條件下也能保持穩(wěn)定。
雙通道版本內(nèi)部采用對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),支持以下輸入方式:
━ 單輸入端獨(dú)立信號(hào)輸入
━ 雙輸入端同步信號(hào)輸入(例如反相信號(hào))

(1)電壓放大倍數(shù)-頻率特性曲線
測(cè)試條件:供電電壓:+12V/-3V,環(huán)境溫度:297 K,負(fù)載配置:高阻抗(1MΩ, 50pF)及50Ω負(fù)載

(2)電壓放大倍數(shù)-正電源電壓特性
測(cè)試條件:f = 100kHz,while VSS = -3V(固定值)

(3)正電源電流-正電源電壓特性曲線
測(cè)試條件:輸出空載,VSS=-2.5V(固定值)

(4)雙通道模式下的通道間串?dāng)_-頻率特性曲線
測(cè)試條件:上曲線:輸入端接 100pF vs. GND;下曲線:輸入端接 50Ω vs. GND

(5)室溫條件下電壓噪聲密度(雙通道模式)
測(cè)試條件:VSS = -2.5V。若使用標(biāo)配電源(PR-E電源)或PRE-SMA版本,適用下部曲線

(6)室溫條件下電流噪聲密度(雙通道模式)
室溫條件下電流噪聲密度(雙通道系統(tǒng)中的單通道),測(cè)試條件:供電電壓±5V

(7)室溫條件下電壓噪聲密度(單通道模式)
室溫條件,不同正電源電壓下的電壓噪聲密度(雙通道版本,雙通道并聯(lián)工作)
測(cè)試條件:VSS = -2.5V。若使用標(biāo)配電源(PR-E電源)或PRE-SMA版本,適用下部曲線。

(8)室溫條件下電流噪聲密度(單通道模式)
室溫條件下電流噪聲密度(雙通道并聯(lián)工作)

(1)精密實(shí)驗(yàn)
━ Penning trap驅(qū)動(dòng)電壓 - 用于BASE重子反重子對(duì)稱性實(shí)驗(yàn)
━ 混合阱驅(qū)動(dòng) - 用于冷分子離子-中性粒子碰撞研究
━ 掃描探針顯微鏡驅(qū)動(dòng) - 用于氫鍵分子單層圖案化制備
(2)離子阱驅(qū)動(dòng)與束流整形

